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2022-07
等離子切割如今也應(yīng)用于MEMS器件和RFID的小批量生產(chǎn)，來降低芯片過于脆弱的問題，從而增強(qiáng)芯片強(qiáng)度，增加每片晶圓的芯片數(shù)量，最終降低設(shè)備所有者的整體成本。受益于刀片切割產(chǎn)品，DISCO在切割設(shè)備市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，緊隨其后的是東京精密公司(Accre
2022-07
存儲(chǔ)器和邏輯器件等領(lǐng)域需要額外的減薄步驟，如運(yùn)用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來消除由標(biāo)準(zhǔn)化磨削加工所引起的晶圓微開裂和邊緣崩裂。背照式CMOS圖像傳感器是唯一使用濕法/干法蝕刻處理和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的應(yīng)用，因?yàn)楸痴帐紺MOS圖像傳感器需要最多步驟的背
2022-07
某些應(yīng)用，如存儲(chǔ)器和功率器件，它們的微型化朝著更小的尺寸、更高的性能以及更低的成本方向發(fā)展，這些應(yīng)用的薄晶圓厚度小于100μm或甚至小于50μm?，F(xiàn)階段，最常規(guī)的半導(dǎo)體應(yīng)用減薄工藝為磨削，所減薄晶圓的平均起始厚度為750μm到120μm。然而，厚度低
2022-07
受智能手機(jī)、智能卡和堆疊封裝等消費(fèi)類應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，近年來對(duì)薄晶圓的需求日益增長(zhǎng)。據(jù)估算，2015年，用于MEMS器件、CMOS圖像傳感器、應(yīng)用硅通孔(TSV)技術(shù)的存儲(chǔ)器和邏輯器件以及功率器件的薄晶圓數(shù)量超過了1650萬片，這個(gè)數(shù)量相當(dāng)于8英寸晶圓投入總
2022-07
隨著先進(jìn)制程的演進(jìn)，主流手機(jī)芯片廠商對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的持續(xù)不懈跟進(jìn)，對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈也將形成更大挑戰(zhàn)。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的NRE費(fèi)用(一次性工程費(fèi)用)急劇攀升，只有通過擴(kuò)大銷量才能分?jǐn)偳捌诔杀?。有估?jì)認(rèn)為，研發(fā)一顆16納米的芯片需要投入15億美元，必須銷售3000萬
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智能手機(jī)芯片廠商之所以如此積極采用10納米工藝，有著技術(shù)上的迫切需求。一般而言，不同的芯片制程工藝將導(dǎo)致芯片性能變化，制程越小，單位面積上可以集成的芯片越多，芯片性能將提升，同樣更小的芯片制程也意味著功耗的降低。由于智能手機(jī)對(duì)能耗以及尺寸上的苛求，是
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