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受智能手機(jī)、智能卡和堆疊封裝等消費(fèi)類應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，近年來(lái)對(duì)薄晶圓的需求日益增長(zhǎng)。據(jù)估算，2015年，用于MEMS器件、CMOS圖像傳感器、應(yīng)用硅通孔(TSV)技術(shù)的存儲(chǔ)器和邏輯器件以及功率器件的薄晶圓數(shù)量超過(guò)了1650萬(wàn)片，這個(gè)數(shù)量相當(dāng)于8英寸晶圓投入總片數(shù)(wafer starts per year， WSPY)。這些薄晶圓主要貢獻(xiàn)于CMOS圖片傳感器，其次是功率器件。2015年到2020年期間，薄晶圓的復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為14%，預(yù)計(jì)到2020年，薄晶圓的數(shù)量將達(dá)到峰值的3200萬(wàn)片，相當(dāng)于2020年8英寸晶圓投入總片數(shù)。

更薄的晶圓能夠帶來(lái)眾多好處，包括超薄的封裝，以及由此帶來(lái)更小的尺寸外形，還包括改善的電氣性能和更好的散熱性能。

一、AZ431AZ-ATRE1升降壓芯片的特性

? 可調(diào)精密并聯(lián)調(diào)節(jié)器

? VKA  40V 

? IKA  -100 to 150 Ma

? IREF  10 mA

? PD  Z, R Package: 770   N Package: 370mW

二、MP2161GJ-Z升降壓芯片的特性

2A, 6V, 1.5MHz, 17uA靜態(tài)電流，恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式（COT）高效率同步降壓變換器，帶PG并采用 TSOT23-8 封裝。