又粗又硬又黄的淫秽视频_av看片网站大黄_爽爽精品国产电影在线观看_国产成人r级在线视频_一区欧美二区日韩_日韩欧美**字幕_久久成人秘 免费无码_欧洲呦女网站日本老头老太祼交_少妇一级婬片免费放大球_无码国产免费中文

某些應(yīng)用，如存儲(chǔ)器和功率器件，它們的微型化朝著更小的尺寸、更高的性能以及更低的成本方向發(fā)展，這些應(yīng)用的薄晶圓厚度小于100μm或甚至小于50μm。

現(xiàn)階段，最常規(guī)的半導(dǎo)體應(yīng)用減薄工藝為磨削，所減薄晶圓的平均起始厚度為750μm到120μm。然而，厚度低于100 μm的硅晶圓會(huì)變得非常柔軟有彈性，受迫于大批量加工制造的壓力，僅僅憑借標(biāo)準(zhǔn)的磨削方法將厚度小于100 μm的硅晶圓進(jìn)一步減薄，是非常具有挑戰(zhàn)性的。

一、MBR2150VRTR升降壓芯片的特性

? 高壓功率肖特基整流器

? VRRM (V) 150

? IO (A)  2

? VF (MAX) (V) @ +25°C  0.85

? IR (MAX) (mA) @ +25°C 0.1

二、MP2145GD-Z升降壓芯片的特性

MP2145 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFETs 的單片降壓開(kāi)關(guān)變換器。在 2.8V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn) 6A 的連續(xù)輸出電流，且具有極好的負(fù)載和線性調(diào)整率。其輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V。