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隨著先進(jìn)制程的演進(jìn)，主流手機(jī)芯片廠(chǎng)商對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的持續(xù)不懈跟進(jìn)，對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈也將形成更大挑戰(zhàn)。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的NRE費(fèi)用(一次性工程費(fèi)用)急劇攀升，只有通過(guò)擴(kuò)大銷(xiāo)量才能分?jǐn)偳捌诔杀?。有估?jì)認(rèn)為，研發(fā)一顆16納米的芯片需要投入15億美元，必須銷(xiāo)售3000萬(wàn)顆才能收回成本。除此之外，受限于工藝，技術(shù)挑戰(zhàn)將越來(lái)越大，芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)必須對(duì)芯片制造過(guò)程有深入的了解，要求芯片設(shè)計(jì)與制造與IP等廠(chǎng)商緊密結(jié)合，這也將拉高設(shè)計(jì)成本。

一、1N4148WSQ升降壓芯片的特性

? VRM 100 V

? VRRM VRWM VR/ 75 V

? VR(RMS) 53 V

? IFM 300 mA

? IO 150 mA

? IFSM  @ t = 1.0μs 2.0A @ t = 1.0s 1.0 A

二、MP2162GQH-Z升降壓芯片的特性

MP2162 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓開(kāi)關(guān)變換器。在 2.5V 至 6V 輸入電壓范圍內(nèi)，它可以實(shí)現(xiàn) 2A 的連續(xù)輸出電流，且具有出色的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整率。其輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V。