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智能手機芯片廠商之所以如此積極采用10納米工藝，有著技術(shù)上的迫切需求。一般而言，不同的芯片制程工藝將導(dǎo)致芯片性能變化，制程越小，單位面積上可以集成的芯片越多，芯片性能將提升，同樣更小的芯片制程也意味著功耗的降低。

由于智能手機對能耗以及尺寸上的苛求，是否具備低功耗，甚至超低功耗設(shè)計技術(shù)和能力將決定產(chǎn)品能否在移動設(shè)備中得到應(yīng)用。而先進工藝是降低產(chǎn)品功耗、縮小尺寸的重要手段。讓高端芯片更輕薄省電，將有助于提升手機廠商的產(chǎn)品均價與競爭力。

一、BAW56Q升降壓芯片的特性

? 小訊號開關(guān)二極管

? VRM 100 V

? VRRM VRWM VR /75 V

? VR（RMS）53V

? IFM 300 mA

? FSM  @ t = 1.0μs  2.0A @ t = 1.0s  1.0A 

二、MP2225GJ-Z升降壓芯片的特性

MP2225 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的高效同步整流降壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器。它提供了非常緊湊的解決方案，在寬輸入范圍內(nèi)可實現(xiàn)高達 5A 的輸出電流，具有極好的負載和線性調(diào)節(jié)性能。 采用同步工作模式，在全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)更高效率。電流控制模式提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)，并使環(huán)路更易穩(wěn)定。全方位保護包括過流保護和過溫保護。