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新聞

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2022-06

MP2491與PDS5100HQ升降壓芯片完整信息介紹

曾經(jīng)有報道聲稱GlobalFoundries 一直在秘密研發(fā)自家的10nm 制作工藝，為的就是擺脫對三星的依賴——目前GlobalFoundries 仍然需要獲得三星的授權(quán)來生產(chǎn)處理器。而且，報道還表示GlobalFoundries 成功研發(fā)出10n

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2022-06

MP24943與TLV431BQFTA升降壓芯片完整信息介紹

英特爾前段時間取得ARM技術(shù)授權(quán)震驚了不少人，因為這樣一來意味著英特爾可以為2018年款旗艦iPhone的處理芯片作準備了。然而，英特爾并不是唯一一家有可能會加入蘋果芯片供應陣營的新廠商。當全球芯片代工產(chǎn)業(yè)逐漸邁向10nm制程時代時，芯片代工大廠Gl

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2022-06

MP2497與SMBJ36CA升降壓芯片完整信息介紹

3D NAND技術(shù)復雜，由于成品率低，導致成本高。依三星的技術(shù)水平，估計它的48層3D NAND的成本已經(jīng)接近2D NAND，未來64層時可能會占優(yōu)勢。而其他的各廠家現(xiàn)階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國存儲廠商一些時間。 但是，不管如何，到2

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2022-06

MP2610與BZX84C5V6Q升降壓芯片完整信息介紹

近四個月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因為現(xiàn)階段三星在NAND方面領(lǐng)先，估計平均領(lǐng)先兩年左右，而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達40%。但是東芝正后來居上，因為它的64層提前量產(chǎn)，或者與三星同步，但是它的目標更為宏大，3D NAN

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2022-06

MP26123與DDZ9698升降壓芯片完整信息介紹

3D NAND芯片是業(yè)內(nèi)首款基于浮柵技術(shù)的移動產(chǎn)品，也是業(yè)內(nèi)最小的3D NAND存儲芯片，面積只有60.217 mm2，同時采用UFS 2.1標準的存儲設(shè)備，讓移動設(shè)備實現(xiàn)一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術(shù)和低功耗LPD

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2022-06

MP2615與DMTH6016LFVWQ升降壓芯片完整信息介紹

從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經(jīng)過僅8個多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲制造新項目于今年7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進的非