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時間:2022-06-25 預(yù)覽:663
從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破,近期幾大廠商都在加大力度。日前,英特爾大連廠傳出消息,經(jīng)過僅8個多月的努力,英特爾大連廠非易失性存儲制造新項目于今年7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月,英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠。
一、MP2615升降壓芯片完整信息介紹
? 2A、QFN 3mmx3mm 封裝單節(jié)或雙節(jié)鋰離子(Li+)電池充電器
? 4.75V 至 18V 輸入工作電壓
? 占空比高達(dá) 99%
? 可編程充電電流高達(dá) 2A
? 電池充滿電壓精度為 ±0.75%
? 電池充滿電壓有4.1V/節(jié) 和 4.2V/節(jié)可選
二、DMTH6016LFVWQ升降壓芯片完整信息介紹
? 60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
? AEC Qualified YES
? Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP Automotive
? BVDSS 60V
? RDS(ON) max 16m? @ VGS = 10V
? D max TC = +25°C 41A
? RDS(ON) max 27m? @ VGS = 4.5V
? D max TC = +25°C 31.6A