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3D NAND芯片是業(yè)內(nèi)首款基于浮柵技術(shù)的移動(dòng)產(chǎn)品，也是業(yè)內(nèi)最小的3D NAND存儲(chǔ)芯片，面積只有60.217 mm2，同時(shí)采用UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)設(shè)備，讓移動(dòng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術(shù)和低功耗LPDDR4X，使得該閃存芯片比標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4存儲(chǔ)的能效更優(yōu)。此外，與相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以縮小30%。

一、MP26123升降壓芯片完整信息介紹

? 2A、24V 輸入、600kHz、開(kāi)關(guān)鋰離子電池充電器

? 為2芯或3芯鋰離子電池組充電

? 2A的可編程充電電流

? 4mm x 4mm 16-pin QFN

二、DDZ9698升降壓芯片完整信息介紹

? SURFACE MOUNT LOW CURRENT ZENER DIODE

? AEC Qualified  Yes

? Compliance (Only Automotive supports PPAP)  Automotive

? Configuration  Single

? Power Rating (W)  500 mW

? Nom VZ (V)  11

? @ IZT (mA)  0.05 mA

? Tol V (Typ) (%)  5%

? IR (μA)  0.05 μA

? Packages  SOD123