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時(shí)間:2022-06-25 預(yù)覽:668
2D NAND在進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后,器件耐久性和數(shù)據(jù)保持特性持續(xù)退化,單元之間的耦合效應(yīng)難以克服,很難解決集成度提高和成本控制的矛盾,進(jìn)一步發(fā)展面臨瓶頸。發(fā)展3D NAND已經(jīng)是大勢所趨。近期全球3D NAND的發(fā)展迎來少見的紅火,之前認(rèn)為僅三星獨(dú)家領(lǐng)先的態(tài)勢,可能需要重新思考,至少各方之間的差距正逐步縮小。因?yàn)檎l都不愿在未來落后。
一、MP2617升降壓芯片完整信息介紹
? 3A 寬輸入電壓開關(guān)充電器,
? 具有 NVDC 電源路徑管理功能,
? 適用于 4.2V 單節(jié)鋰離子電池應(yīng)用
? 4V 至 10V 工作輸入電壓范圍
? 5 個(gè)控制環(huán)路
? 用于 USB 和 AC 適配器的單端輸入
? 兼容 USB2.0 和 USB3.0 輸入規(guī)范
二、B2100升降壓芯片完整信息介紹
? AEC Qualified Yes
? Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
? Configuration Single
? MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A) 2 A
? @ TerminalTemperature TT (oC) 125 oC
? Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V) 100 V
? Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A) 50 A
? Forward Voltage Drop VF (V) 0.79 V
? @ IF (A) 2 A
? Maximum ReverseCurrent IR (μA) 7 μA
? @ VR (V) 100 V
? TotalCapacitance CT (pF) 75 pF