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MP2625與MP6924升降壓芯片完整信息介紹

時(shí)間:2022-06-25 預(yù)覽:998

MP2625與MP6924升降壓芯片完整信息介紹

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后,在技術(shù)上每年都會(huì)前進(jìn)一步,由24層、32層、48層,到今年的第四代64層。有消息稱(chēng)2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術(shù)進(jìn)步之外,有分析師預(yù)測(cè)在2018年中期,全球NAND閃存市場(chǎng)在3D堆疊技術(shù)的影響下,價(jià)格有可能低到每Gb約3美分。目前,中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。

一、MP2625升降壓芯片完整信息介紹

? 帶 NVDC 電源路徑管理的 2A 開(kāi)關(guān)型鋰離子充電器

? 4V 至 10V 輸入工作電壓范圍

? 5 個(gè)控制環(huán)路

? 1.6MHz 開(kāi)關(guān)頻率

? 可編程輸入電流限

? 可編程充電電流

? 用于 USB 和 AC 適配器的單端輸入

? 兼容 USB2.0 和 USB3.0 輸入規(guī)格

二、MP6924升降壓芯片完整信息介紹

? 雙路 LLC 同步整流器,具有低休眠模式電流和快速關(guān)斷功能,可兼容 CCM/DCM 模式

? 可驅(qū)動(dòng)12V標(biāo)準(zhǔn)MOSFETS和5V邏輯電平MOSFETS

? 符合能效之星 0.5W 待機(jī)要求

? 快速關(guān)斷總延遲為 35ns

? 4.2V 至 35V VDD 寬輸入工作電壓范圍

? 輕載模式下靜態(tài)電流大約為 175μA

? 支持 CCM、CrCM 和 DCM 工作模式

? 支持副邊高端和低端整流

? 在典型筆記本適配器中使用能節(jié)電高達(dá)1.5W

? 采用 SOIC-8 封裝