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3D NAND技術(shù)復(fù)雜，由于成品率低，導(dǎo)致成本高。依三星的技術(shù)水平，估計(jì)它的48層3D NAND的成本已經(jīng)接近2D NAND，未來(lái)64層時(shí)可能會(huì)占優(yōu)勢(shì)。而其他的各廠家現(xiàn)階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國(guó)存儲(chǔ)廠商一些時(shí)間。 但是，不管如何，到2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)諾言量產(chǎn)3D NAND時(shí)，它的32層與三星可能已經(jīng)達(dá)100層相比絕不占優(yōu)勢(shì)。技術(shù)只是一個(gè)方面，更為嚴(yán)峻的是制造成本方面的差距。

一、MP2497升降壓芯片完整信息介紹

? 3A, 50V, 100kHz 降壓變換器，具有可調(diào)輸出過(guò)壓保護(hù)閾值

? 寬工作輸入電壓范圍：4.5V 至 50V

? 可調(diào)輸出過(guò)壓保護(hù)

? 可調(diào)輸出電壓：0.8V 至 15V

? SOIC8E封裝

二、SMBJ36CA升降壓芯片完整信息介紹

? 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

? AEC Qualified SMBJ36CAQ

? Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

? Configuration Single (Bi-Directional)

? Power Rating (W) 600 W

? Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 36 V

? Breakdown VoltageVBR Min(V) 40 V

? BreakdownVoltageVBR Max (V) 46 V

? Maximum Reverse Leakage CurrentIR @ VRWM Max 5 μA

? Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 58.1 V

? Packages SMB