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新聞

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2022-07

MP1484EN-LF-Z與MP5423升降壓芯片功能說明

近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案,對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔(dān)憂。因?yàn)榇朔N跟隨型模式,盡管看似省心省事,但是中方缺乏自主能力,另外擔(dān)心美光會采取不同的技術(shù)轉(zhuǎn)移策略,讓中國處于最低端,因此要慎之又慎。

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2022-07

MP1482DS-LF-Z與MP4423升降壓芯片功能說明

依目前的態(tài)勢由于做的產(chǎn)品不同,有3D NAND,利基型DRAM,DRAM及NAND,采用的路徑不同,以及合作對象也不一樣,正如同“百花齊放”,因此都有一定的可能,但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產(chǎn)線,所以未來可

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2022-07

MP1476GTF-Z與MP5032升降壓芯片功能說明

目前存儲器有三個方面的力量正在聚集,一個是政府主導(dǎo)的武漢新芯,它們與中科院微電子所等合作,據(jù)說己經(jīng)有9層3D NAND樣品。另一個是紫光,它的策略是先通過兼并,站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府,福建與合肥,它們試圖尋找技術(shù)伙伴,或者

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2022-07

MP1475DJ-LF-Z與MPQ4488升降壓芯片功能說明

中國終于下決心要做存儲器芯片,武漢新芯計劃投資240億美元,于2018年開始量產(chǎn)3D NAND閃存,引起全球的熱議??陀^地說能夠下這樣的決心是十分不易,國內(nèi)國外抱懷疑者很多,基本上反映中國欲進(jìn)軍存儲器業(yè)的現(xiàn)實(shí)。中國半導(dǎo)體業(yè)處于特定環(huán)境中,提出產(chǎn)業(yè)的自

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2022-07

MP1469GJ-Z與MPQ4470升降壓芯片功能說明

光耦在電路中的主要工作是對光電進(jìn)行隔離并且進(jìn)行轉(zhuǎn)換。看似簡單,但光耦卻擁有著非常多的品種和類型,僅僅在電子手冊中就有上千種分類。按光路徑可分為外光路光電耦合器(又稱光電斷續(xù)檢測器)和內(nèi)光路光電耦合器。外光路光電耦合器又分為透過型和反射型光電耦合器。一

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2022-07

MP1921GQ-B-Z與MP44014升降壓芯片功能說明

市場經(jīng)濟(jì),首先是競爭,但也不妨礙互相合作。更無況兩岸的語言相通,血脈相連,并各有優(yōu)劣之勢。目前的態(tài)勢已前進(jìn)了一大步,如大陸資金充沛,欲投資入股,只要條件適當(dāng),臺灣地區(qū)何樂不為,何必總是拒絕。盼望雙方從務(wù)實(shí)出發(fā),拋棄成見,依大局利益為重,兩岸半導(dǎo)體之間