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目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一個是政府主導的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據(jù)說己經(jīng)有9層3D NAND樣品。另一個是紫光，它的策略是先通過兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術伙伴，或者挖技術團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技術，產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM，未來技術將授權給晉華，同時聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。

一、MP1476GTF-Z升降壓芯片功能說明

MP1476 是一款具有內(nèi)部功率 MOSFET 的全集成高頻同步整流降壓開關變換器。MP1476 提供非常緊湊的解決方案，在寬輸入范圍內(nèi)可實現(xiàn) 2A 的持續(xù)輸出電流，具有極好的負載和線性調整率。MP1476 在輸出負載范圍內(nèi)采用同步模式工作以達到高效率。

二、MP5032升降壓芯片功能說明

? 帶集成限流開關、支持快速充電規(guī)范3.0的控制器

? 3.6V 至 14V 寬工作輸入電壓范圍

? 支持 QC 3.0（3.6V - 12V 輸出）、符合 BC1.2 規(guī)范的 DCP 方案、Divider 模式、和 1.2V/1.2V 模式

? 用于 5V 輸出的線路壓降補償

? 恒定的功率限制

? 32m? 低 RDS(ON) 功率 MOSFET

? 高壓切換至低壓時輸入放電功能