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中國終于下決心要做存儲器芯片，武漢新芯計劃投資240億美元，于2018年開始量產(chǎn)3D NAND閃存，引起全球的熱議?？陀^地說能夠下這樣的決心是十分不易，國內(nèi)國外抱懷疑者很多，基本上反映中國欲進(jìn)軍存儲器業(yè)的現(xiàn)實。中國半導(dǎo)體業(yè)處于特定環(huán)境中，提出產(chǎn)業(yè)的自主可控是迫不得已。西方總是冷眼相對，控制及干擾我們的先進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，所以中國在CPU方面的開發(fā)至少己有20年的歷史。

如今中國的國力己大增，集成電路產(chǎn)業(yè)具一定規(guī)模，似乎資金方面、與之前大不同，己有所積累，所以此次下決心選擇存儲器芯片作為IDM模式的突破口，主要是產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，也是眾望所歸。

一、MP1475DJ-LF-Z升降壓芯片功能說明

3A, 16V, 500kHz高效同步降壓變換器，帶 PG 和外部時鐘同步功能。

二、MPQ4488升降壓芯片功能說明

? 具有可配置頻譜擴展功能和雙路 USB 

? 充電端口的 36V、6A、降壓變換器，符合 AEC-Q100 認(rèn)證

? 支持符合 BC1.2 規(guī)范的 DCP 方案、Apple 3A Divider 模式和 1.2V/1.2V 模式

? 5.1V、5.17V 或 5.3V 可選輸出電壓（VOUT）

? 100mV 線路壓降補償

? 精確的 USB1/USB2 輸出電流限制

? 50kHz 至 2.2MHz 可調(diào)開關(guān)頻率（fSW）

? 支持 USB Type-C 5V @ 3A DFP 模式