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依目前的態(tài)勢(shì)由于做的產(chǎn)品不同，有3D NAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對(duì)象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。

然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲(chǔ)器生產(chǎn)線，所以未來可能還要等2-3年時(shí)間的觀察，結(jié)果才會(huì)更加明朗。

個(gè)人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時(shí)技術(shù)方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來至少國家一定會(huì)支持到底，相對(duì)有成功的可能與希望。

一、MP1482DS-LF-Z升降壓芯片功能說明

MP1482 是一款單片同步降壓調(diào)節(jié)器。該器件集成了兩個(gè)130mΩ MOSFETs，在4.75V至18V的寬輸入電壓范圍內(nèi)可提供2A的連續(xù)負(fù)載電流。其電流控制模式提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)和逐周期電流限制。

二、MP4423升降壓芯片功能說明

? 帶 PG 信號(hào)和外部時(shí)鐘同步的3A、36V高效同步降壓轉(zhuǎn)換器

? 4V 至 30V 連續(xù)寬輸入工作電壓范圍

? 適用于汽車拋負(fù)載的 36V 輸入瞬態(tài)耐壓

? 85m?/55m? 低 RDS(ON) 內(nèi)部功率 MOSFETs

? 高效同步工作模式

? 默認(rèn) 410kHz 開關(guān)頻率

? 200kHz 至 2.2MHz 外部時(shí)鐘同步

? 適用于汽車?yán)滠噯?dòng)的高占空比