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新聞資訊

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2022-06

MP2491與PDS5100HQ升降壓芯片完整信息介紹

曾經(jīng)有報(bào)道聲稱(chēng)GlobalFoundries 一直在秘密研發(fā)自家的10nm 制作工藝，為的就是擺脫對(duì)三星的依賴(lài)——目前GlobalFoundries 仍然需要獲得三星的授權(quán)來(lái)生產(chǎn)處理器。而且，報(bào)道還表示GlobalFoundries 成功研發(fā)出10n

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2022-06

MP24943與TLV431BQFTA升降壓芯片完整信息介紹

英特爾前段時(shí)間取得ARM技術(shù)授權(quán)震驚了不少人，因?yàn)檫@樣一來(lái)意味著英特爾可以為2018年款旗艦iPhone的處理芯片作準(zhǔn)備了。然而，英特爾并不是唯一一家有可能會(huì)加入蘋(píng)果芯片供應(yīng)陣營(yíng)的新廠(chǎng)商。當(dāng)全球芯片代工產(chǎn)業(yè)逐漸邁向10nm制程時(shí)代時(shí)，芯片代工大廠(chǎng)Gl

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2022-06

MP2497與SMBJ36CA升降壓芯片完整信息介紹

3D NAND技術(shù)復(fù)雜，由于成品率低，導(dǎo)致成本高。依三星的技術(shù)水平，估計(jì)它的48層3D NAND的成本已經(jīng)接近2D NAND，未來(lái)64層時(shí)可能會(huì)占優(yōu)勢(shì)。而其他的各廠(chǎng)家現(xiàn)階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國(guó)存儲(chǔ)廠(chǎng)商一些時(shí)間。 但是，不管如何，到2

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2022-06

MP2610與BZX84C5V6Q升降壓芯片完整信息介紹

近四個(gè)月以來(lái)，變化最大的是東芝及英特爾。因?yàn)楝F(xiàn)階段三星在NAND方面領(lǐng)先，估計(jì)平均領(lǐng)先兩年左右，而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達(dá)40%。但是東芝正后來(lái)居上，因?yàn)樗?4層提前量產(chǎn)，或者與三星同步，但是它的目標(biāo)更為宏大，3D NAN

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2022-06

MP26123與DDZ9698升降壓芯片完整信息介紹

3D NAND芯片是業(yè)內(nèi)首款基于浮柵技術(shù)的移動(dòng)產(chǎn)品，也是業(yè)內(nèi)最小的3D NAND存儲(chǔ)芯片，面積只有60.217 mm2，同時(shí)采用UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)設(shè)備，讓移動(dòng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術(shù)和低功耗LPD

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2022-06

MP2615與DMTH6016LFVWQ升降壓芯片完整信息介紹

從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破，近期幾大廠(chǎng)商都在加大力度。日前，英特爾大連廠(chǎng)傳出消息，經(jīng)過(guò)僅8個(gè)多月的努力，英特爾大連廠(chǎng)非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目于今年7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非