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2D NAND在進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后,器件耐久性和數(shù)據(jù)保持特性持續(xù)退化,單元之間的耦合效應(yīng)難以克服,很難解決集成度提高和成本控制的矛盾,進(jìn)一步發(fā)展面臨瓶頸。發(fā)展3D NAND已經(jīng)是大勢(shì)所趨。近期全球3D NAND的發(fā)展迎來(lái)少見(jiàn)的紅火,之前認(rèn)為僅三星獨(dú)
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自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后,在技術(shù)上每年都會(huì)前進(jìn)一步,由24層、32層、48層,到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術(shù)進(jìn)步之外,有分析師預(yù)測(cè)在2018年中期,全球NAND閃存市
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硅是目前最重要的半導(dǎo)體材料,全球95%以上的半導(dǎo)體芯片和器件是用硅片作為基底功能材料而生產(chǎn)出來(lái)的。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),還沒(méi)有其它材料(如石墨 烯等)可以替代硅的地位。在1960 年時(shí)期就有了0.75 英寸(約20mm)左右的單晶硅片。在1965 年左右G
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隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的變化和半導(dǎo)體制程復(fù)雜程度的提高,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)采用的化學(xué)元素越來(lái)越多。在1985年,化學(xué)元素周期表中只有11 種元素用于半導(dǎo)體行業(yè)。而到了2015 年,半導(dǎo)體行業(yè)使用的化學(xué)元素種類(lèi)達(dá)到49 種。除了材料種類(lèi)的增多,半導(dǎo)體材料也隨著半
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中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)顯示,2014 年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)35 家主要制造商共完成40.53 億元銷(xiāo)售收入,同比增長(zhǎng)34.5%;實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)8.48 億元,同比增長(zhǎng)13.8%;出口交貨值4.41 億元,同比增長(zhǎng)50.5%;2015 年銷(xiāo)售收入達(dá)到5
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根據(jù)SEMI 的統(tǒng)計(jì),2014 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為375 億美元,前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商的銷(xiāo)售額為351 億美元,市場(chǎng)占有率高達(dá)93.6%,行業(yè)處于寡頭壟斷局面。前十大半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商中,有美國(guó)企業(yè)4 家,日本企業(yè)5 家,荷蘭企業(yè)1 家。一、M