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D12V0H1U2WSQ與MP2229GQ-Z升降壓芯片的特性

時(shí)間:2022-07-28 預(yù)覽:658

D12V0H1U2WSQ與MP2229GQ-Z升降壓芯片的特性

蘋果的iPhone芯片在先進(jìn)工藝采用上一直領(lǐng)跑行業(yè)。近日消息報(bào)出,蘋果已經(jīng)做出決定,其最新的A11應(yīng)用處理器將采用臺(tái)積電10納米生產(chǎn),預(yù)計(jì)今年年底前可完成設(shè)計(jì),最快將于2017年第二季度開始小規(guī)模生產(chǎn),第三季度可望正式進(jìn)入量產(chǎn)。蘋果2016年下半年即將推出的iPhone 7采用的是A10處理器。該芯片今年3月開始即在臺(tái)積電以16納米工藝進(jìn)行投片。

一、D12V0H1U2WSQ升降壓芯片的特性

? 數(shù)據(jù)傳輸線保護(hù) 1 CHANNEL UNIDIRECTIONAL TVS

? PPP 600 W

? IPP 25 A

? VESD_Contact ±30 kV

? VESD_Air ±30 kV

二、MP2229GQ-Z升降壓芯片的特性

MP2229 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的高頻同步整流降壓開關(guān)變換器。它提供了非常緊湊的解決方案,在寬輸入范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn) 6A 的連續(xù)輸出電流,具有極好的負(fù)載和線性調(diào)整率。 在輸出負(fù)載范圍內(nèi)采用同步模式工作以達(dá)到高效率。