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根據(jù)SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告的最新情況，19個(gè)新的晶圓廠和生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于2016年和2017年開(kāi)始建設(shè)。雖然半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出2016年起步緩 慢，但預(yù)計(jì)到今年年底將獲得新的動(dòng)力。相比2015年，2016年預(yù)計(jì)將有1.5%的增長(zhǎng)，2017年預(yù)計(jì)將有13%的增長(zhǎng)。

一、MP2131GG-Z升降壓芯片的特性

MP2131 采用超小型 QFN-12（2mmx2mm）封裝，最大限度地減少了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)外部元器件的使用, 適用范圍廣泛，包括便攜式儀表、小型手持式和電池供電設(shè)備、PDA、DVD 驅(qū)動(dòng)器。

二、MP2322升降壓芯片的特性

? 1A、3-22V、5μA IQ 同步降壓變換器，采用 1.5x2mm QFN 封裝

? 3V 至 22V 寬工作輸入電壓范圍

? 大占空比下頻率擴(kuò)展，以支持大占空比 

? 5μA 低靜態(tài)電流（IQ）

? 電源正常（PG）指示

? 1A 負(fù)載電流

? EN 關(guān)閉輸出放電功能

? 260mΩ/120mΩ 導(dǎo)通阻抗內(nèi)部功率 MOSFET

? 過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)和打嗝保護(hù)

? 在 4V 至 22V 輸入電壓下，100μA 至 1A 負(fù)載范圍內(nèi)，具有高效率

? 輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V

? 支持輕載節(jié)電模式（PSM）

? 采用 QFN-8（1.5mmx2mm）封裝

? 連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下具有 1.25MHz 固定開(kāi)關(guān)頻率