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目前，硅芯片的最高頻率在液氮環(huán)境下為8.4GHz，PC處理器的主頻為3-4GHz，移動處理器的主頻則在2GHz左右。如果將石墨烯材料運用在芯片制造中，效果則會好得多。與硅基材料相比，石墨烯的載流子遷移率在室溫之下能夠達到硅的10倍以上，在實驗室環(huán)境下則可以達到100倍，同時飽和速度可達硅的5倍。由于石墨烯良好的導(dǎo)熱性，理論上能夠使芯片主頻達到300GHz，并且功耗低于硅基芯片。

一、BZX84C9V1Q升降壓芯片的特性

? 350mW齊納二極管

? VF 0.9V

? VZ @ IZT  9.1V

? ZZT @ IZT  15歐

? IR 0.5

? VR 6.0

二、MP2565DN-LF-Z升降壓芯片的特性

MP2565 是一款集成了上管高壓功率 MOSFET 的高頻降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。它采用電流控制模式提供2.5A輸出電流，可以實現(xiàn)快速環(huán)路響應(yīng)和輕松補償。其4.5V 至 50V 的寬工作輸入電壓范圍使其適用于汽車輸入環(huán)境中的各種降壓應(yīng)用。