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MIT的研究人員發(fā)現(xiàn)，石墨烯的特性可以使光的速率降低，從而產(chǎn)生密集的光束。由于這種現(xiàn)象和飛機(jī)超越音速時(shí)產(chǎn)生的“音爆”相似，故而被稱為“光爆”。在光爆過(guò)程中，當(dāng)運(yùn)動(dòng)的速度因?yàn)榭煊诠舛艿骄窒迺r(shí)，石墨烯中的電子會(huì)釋放出“等離子體激元”，這一現(xiàn)象能夠?yàn)槌∮?jì)算機(jī)設(shè)備的光基電路的研制打基礎(chǔ)。

一、DMP2035UVT升降壓芯片的特性

? -20V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

? BVDSS  -20V

? RDS（ON）Max  35m? @ VGS = -4.5V  ID -6A 45m? @ VGS = -2.5V  ID  -5.2A

二、MP2615GQ-Z升降壓芯片的特性

MP2615 采用兩個(gè)控制環(huán)路分別控制充電電流和電池充滿電壓，以實(shí)現(xiàn)高精度的恒流充電（CC）和恒壓充電（CV）。

恒定關(guān)斷時(shí)間（COT）控制模式下電路工作占空比高達(dá) 99%，這樣即使在電池電壓接近輸入電壓時(shí)，仍然可以保持相對(duì)較大的電流對(duì)電池進(jìn)行充電。