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一、ZXTN25012EFHTA升降壓芯片的特性

概括

* BVCEO > 12V

* BVECX > 6V

* hFE > 500

* IC（續(xù)）= 6A

* VCE(sat) < 32mV @ 1A

* RCE(sat) = 23m

* PD = 1.25W

描述

先進的工藝能力和包裝設計已被用于最大限度地提高這個小外形的功率處理和性能晶體管。 該設備的緊湊尺寸和額定值使其成為理想的適用于空間非常寶貴的應用。

特征

? 高功耗 SOT23 封裝

? 高峰值電流

? 非常高的增益

? 低飽和電壓

? 6V 反向阻斷電壓

應用

? MOSFET 柵極驅(qū)動器

? 電源開關(guān)

? 電機控制

? 直流風扇

? DC-DC 轉(zhuǎn)換器

二、MP2319升降壓芯片的特性

? 3A、18V、650kHz 高效率同步降壓變換器

? 8 引腳 TSOT23 封裝