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并購的驅(qū)動(dòng)力通常來自于通過經(jīng)濟(jì)規(guī)模最大化而獲得的高效率。在大多數(shù)行業(yè)，制造業(yè)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模是最重要的，這一規(guī)律對(duì)于集成設(shè)備制造商尤為適用。然而，IDM模式在過去幾十年的半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)中不斷萎縮，取而代之的是少數(shù)幾個(gè)IDM寡頭，如英特爾和三星，還有存儲(chǔ)器廠商，以及生產(chǎn)模擬、混合信號(hào)、RF和功率半導(dǎo)體的制造工藝差異化公司。

一、BAV170Q升降壓芯片性能介紹

? 貼裝低泄漏二極管

? VRRM VRWM VR 85V

? VR(RMS) 60V

? IFM  單 215  雙125mA

? IFSM  4.0-0.5

二、PI3USB31532ZLEX升降壓芯片性能介紹

? USB 3.2 Gen 2/Display Port 1.4 Crossbar Switch for Type-C

? 6差分通道至2/4差分通道交叉開關(guān)

? USB 3.1 Gen2 10Gb/s超高速和DP 1.4 8Gb/s切換到USB型CTM連接器

? 支持引腳控制或I2C控制來配置mux

? 低插入損耗：-1.7dB@10Gb/s

? 回波損耗：10Gb/s時(shí)為15dB

? 串?dāng)_：10Gb/s時(shí)為38dB

? 關(guān)閉隔離：-22dB@10Gb/s  -3dB帶寬：8.3GHz