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3D NAND技術(shù)復(fù)雜，由于成品率低，導(dǎo)致成本高。依三星的技術(shù)水平，估計它的48層3D NAND的成本已經(jīng)接近2D NAND，未來64層時可能會占優(yōu)勢。而其他的各廠家現(xiàn)階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國存儲廠商一些時間。 但是，不管如何，到2018年長江存儲實現(xiàn)諾言量產(chǎn)3D NAND時，它的32層與三星可能已經(jīng)達100層相比絕不占優(yōu)勢。技術(shù)只是一個方面，更為嚴峻的是制造成本方面的差距。

一、MP5496升降壓芯片完整信息介紹

? 集成 4 個 4.5A/2.5A/4A/2A 降壓變換器、5 個 LDO 的 2.8V 至 5.5V 電源管理 IC，通過 I2C 和 OTP 進行靈活的系統(tǒng)設(shè)置

? 0.6V 至 2.1875V/12.5mV 步進 VOUT范圍

? 工作輸入電壓范圍：2.8V - 5.5V

? 可調(diào)開關(guān)頻率

? 可配置強制 PWM 模式、自動 PFM/PWM 模式

? 過流保護自動恢復(fù)功能（OCP）

? I2C 總線和 OTP

二、DMTH6016LPSQ-13升降壓芯片完整信息介紹

? 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? BVDSS  60V

? RDS(ON)    ID TC = +25°C    16m? @ VGS = 10V    37.1A

? RDS(ON)    ID TC = +25°C    24m? @ VGS = 4.5V   30.3A