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近四個月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因為現(xiàn)階段三星在NAND方面領(lǐng)先，估計平均領(lǐng)先兩年左右，而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達40%。但是東芝正后來居上，因為它的64層提前量產(chǎn)，或者與三星同步，但是它的目標更為宏大，3D NAND在2017年目標要占它的NAND產(chǎn)出50%，2018年達以80%，而目前僅5.4%。

一、MP6001升降壓芯片完整信息介紹

? 15W，集成 150V 功率開關(guān)管的反激/正激 DC-DC 變換器

? 集成 0.9Ω 150V 功率開關(guān)管

? 逐周期限流保護

? 可編程的開關(guān)頻率

? 帶線電壓前饋的占空比限制

? 集成 100V 啟動電路

? 內(nèi)部斜坡補償

? 禁用功能

二、MP2307升降壓芯片完整信息介紹

? 3A, 23V, 340KHz同步整流降壓變換器

? 連續(xù)輸出電流：3A

? 可調(diào)軟啟動功能

? 4A峰值輸出電流

? 采用低 ESR 輸出陶瓷電容器可穩(wěn)定工作

? 寬工作輸入電壓范圍：4.75V 至 23V

? 340kHz 固定頻率

? 集成100mΩ功率 MOSFET

? 逐周期過流保護

? 可調(diào)輸出電壓：0.925V 至 20V

? 輸入欠壓鎖定保護

? 效率高達95%

? 采用散熱性能增強的8 引腳SOIC封裝