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從3D NAND的技術與產能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經過僅8個多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲制造新項目于今年7月初實現提前投產。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。

一、MP2319升降壓芯片完整信息介紹

? 3A、18V、650kHz 高效率同步降壓變換器

? 8 引腳 TSOT23 封裝

二、MP6616升降壓芯片完整信息介紹

? 集成嵌入式霍爾效應傳感器的 18V、2A、單相直流無刷電機驅動器

? 2mT 最小靈敏度嵌入式霍爾效應傳感器

? 3.3V 至 18V 工作輸入電壓(VIN) 范圍

? 2A 連續(xù)輸出電流(IOUT)

? 100mΩ 集成功率 MOSFET

? 最大可配置速度：40000rpm

? 可配置最小速度和啟動占空比

? 閉環(huán)或開環(huán)速度控制

? 閉環(huán)模式下提供高速精度

? 最大可配置軟換向角：45°

? 最大可配置霍爾偏移角：±45°

? 最大四級可配置電流限值：4A

? 脈寬調制（PWM）輸入范圍：1kHz 至 100kHz

? 可配置的軟啟動時間（tSS）

? 固定開關頻率（fSW）：27kHz

? 待機模式

? 自動恢復轉子堵轉保護

? 自動恢復過溫關斷保護

? 內置輸入過壓保護（OVP）、欠壓鎖定（UVLO）保護和自動恢復

? 采用 QFN-10（2mmx3mm）封裝