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自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技術(shù)上每年都會前進(jìn)一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術(shù)進(jìn)步之外，有分析師預(yù)測在2018年中期，全球NAND閃存市場在3D堆疊技術(shù)的影響下，價格有可能低到每Gb約3美分。目前，中國正在下大力度推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個有利的突破口。

一、MP2459升降壓芯片完整信息介紹

0.5A, 55V, 480kHz 降壓轉(zhuǎn)換器，采用 TSOT23-6 封裝

二、MP4572升降壓芯片完整信息介紹

? 2A、60V 高效率全集成同步降壓變換器

? 4.5V 至 60V 寬工作輸入電壓（VIN）范圍

? 內(nèi)部 0.45ms 軟啟動（SS）

? 2A 連續(xù)輸出電流（IOUT）

? 遠(yuǎn)程使能（EN）控制 電源正常（PG）指示

? 高效率同步控制模式

? 低壓差模式

? 250mΩ/45mΩ 內(nèi)部功率 MOSFET

? 過流保護(hù)（OCP）

? 可配置頻率高達(dá) 2.2MHz

? S帶打嗝保護(hù)模式的短路保護(hù)（SCP）

? 180°移相 SYNCO 時鐘

? VIN 欠壓鎖定保護(hù)（UVLO

? 40μA 靜態(tài)電流（IQ）

? 過溫關(guān)斷保護(hù)

? 低關(guān)斷模式電流：2μA

? 采用 QFN-12（2.5mmx3mm）封裝

? 反饋公差：室溫下為 1%，全溫下為 2%

? 輕載時 AAM 或 CCM 工作模式可選