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在2015 IEEE ISSCC囯際固態(tài)電路會上intel已經(jīng)闡述它的10nm工藝制程。英特爾認為10nm可能是硅尺寸縮小的終點，未來要進入7nm時需要采用III-V族，或納米線等。據(jù)英特爾數(shù)據(jù)，它的產(chǎn)品的平均壽命周期是15年，而制程節(jié)點的平均壽命約為12年，所以至此它的65納米制程技術(shù)仍在使用。

一、MP28164升降壓芯片的介紹

? 集成4.2A開關(guān)管的高效單電感 Buck-Boost 變換器

? 1.8V 最小上電輸入電壓

? 1.2V 至 5.5V 輸入工作電壓范圍

? 1.5V 至 5V 輸出電壓范圍

? 4.2A 開關(guān)管限流保護

? 輸入電源為 2.5V 至 5.5V 時，負載能力為 3.3V/2A

? 2Mhz 固定或外部同步開關(guān)頻率

? QFN-11 (2mmx3mm) 封裝

二、DMTH6016LFVWQ升降壓芯片的介紹

? 60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? AEC Qualified  YES

? Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP Automotive

? BVDSS  60V

? RDS(ON) max  16m? @ VGS = 10V

? D max TC = +25°C 41A

? RDS(ON) max  27m? @ VGS = 4.5V

? D max TC = +25°C  31.6A