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事實(shí)上ITRS從2014年的報告中已經(jīng)開始改變它的預(yù)測思路，認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)中的尺寸縮小是個物理極限，早晚將至，但是器件小型化可能持續(xù)下去。ITRS的結(jié)論，晶體管器件的柵長到2020年左右已不再沿斜率下降，而變得平坦。

在最近的IEEE年會論文集中已有文章表示到2021年晶體管尺寸將停止繼續(xù)縮小。芯片制造商正在尋找其它的方法來增加晶體管的密度，把晶體管的結(jié)構(gòu)由平面型轉(zhuǎn)向垂直型，例如在存儲器中已出現(xiàn)堆疊層存儲器，目前已達(dá)48層及64層的3D NAND閃存。

一、MPQ4488升降壓芯片的介紹

? 具有可配置頻譜擴(kuò)展功能和雙路 USB 

? 充電端口的 36V、6A、降壓變換器，符合 AEC-Q100 認(rèn)證

? 支持符合 BC1.2 規(guī)范的 DCP 方案、Apple 3A Divider 模式和 1.2V/1.2V 模式

? 5.1V、5.17V 或 5.3V 可選輸出電壓（VOUT）

? 100mV 線路壓降補(bǔ)償

? 精確的 USB1/USB2 輸出電流限制

? 50kHz 至 2.2MHz 可調(diào)開關(guān)頻率（fSW

? 支持 USB Type-C 5V @ 3A DFP 模式

二、AH3767Q-P-B升降壓芯片的介紹

? Automotive-compliant 28V Open-drain Hall Effect Latch

? VDD   32V

? IOUT  60 mA

? PD 550 Mw