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新聞資訊

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2022-07

NB650AGL-Z與MP2651升降壓芯片的特性

存儲產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生劇烈的變化,這個劇烈的變化一大推動力來自于存儲介質的變化。大存儲是上下游。今天看到2D閃存是主流,未來3D將流行。閃存是目前為止存儲的答案而已,將來可能有更新的介質。雖然我們現(xiàn)在做3D的方案,但是我們更加關注將來的可能,因為我們不愿意

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2022-07

MP9487GN-Z與MP24893升降壓芯片的特性

從產(chǎn)業(yè)的漸進來看,人們已經(jīng)從早期的PC時代進入到互聯(lián)網(wǎng)時代,從互聯(lián)網(wǎng)時代進入工業(yè)4.0,模塊式的組合;從ERP到CRM,整個工廠從下單、生產(chǎn)、物流一直到銷售端,客戶拿到了產(chǎn)品,所有的信息都可以放在網(wǎng)上。無論是云計算,或者是工業(yè)4.0,無論是手機在云端

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2022-07

MP9486AGN-Z與MP2459升降壓芯片的特性

按全球半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模,中國在細分市場有50%的份額。在今天全球半導體份額中,存儲的市場最大,中國也是全世界市場最大的。因為早期市場大,美國圣誕節(jié)的采購達到全世界電子器件40%以上的規(guī)模。市場規(guī)模影響到產(chǎn)業(yè)甚至是標準的制定,中國今天已經(jīng)具備這樣的條件

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2022-07

ZXTN2010ZTA與MP2456升降壓芯片的特性

一、ZXTN2010ZTA升降壓芯片的特性特征* BVCEO > 60V* IC = 5A 高連續(xù)電流* RSAT = 30mΩ(低等效導通電阻)* 低飽和電壓 VCE(SAT) < 65mV @ IC = 1A* hFE 指定高達 10

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2022-07

ZXTP2012ZTA與MP2451升降壓芯片的特性

一、ZXTP2012ZTA升降壓芯片的特性特征* BVCEO > -60V* IC = -4.3A 高連續(xù)電流* RSAT = 32mΩ(低等效導通電阻)* 低飽和電壓 VCE(SAT) < -65mV @ IC = -1A* hFE 指

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2022-07

MBR2150VRTR-G1與MP2395升降壓芯片的特性

一、MBR2150VRTR-G1升降壓芯片的特性描述MBR2150 是一款適用于開關電源和其他電源轉換器的高壓肖特基整流器。這個設備是旨在用于中壓操作——尤其是低開關損耗和低噪聲的高頻電路必需的。MBR2150 可用于標準 DO-214AC 和 DO