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DIODES升降壓芯片內(nèi)置同步整流控制器和高雪崩容量功率MOSFET，用于高性能AC/DC反激變換器系統(tǒng)，取代二次整流肖特基二極管，導(dǎo)壓降非常低，功率MOSFET可以提高電流輸出容量，降低溫升，提高轉(zhuǎn)換效率，使系統(tǒng)效率達到6級能效標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的余量。

DIODES升降壓芯片通過QR-PWM、QR-PFM、burst-mode混合調(diào)制技術(shù)和專用器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)，實現(xiàn)了超低待機功耗和全電壓范圍內(nèi)的最佳效率。調(diào)頻技術(shù)和軟驅(qū)動技術(shù)充分確保良好的電磁干擾性能。

升降壓芯片內(nèi)置12mQ60V電壓同步整流器，適用于3.6V-20V通用適配器輸出，適用于QC3.0適配器等固定電壓輸出適配器。該芯片還集成了非常全面的輔助功能，包括欠壓保護、防誤啟動、最小導(dǎo)通時間等功能，而且外圍元件非常簡單。

九鼎龍的PD 20W快速充電方案采用了典型的寬輸出范圍開關(guān)電源架構(gòu)，升降壓芯片通過光藕反饋控制輸出電壓。外圍元件數(shù)量非常少，整體集成度非常高，有效實現(xiàn)了充電器的小型化。