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5V充電器廣泛應用于市場，充電器的性能的穩(wěn)定性主要取決于MPS升降壓芯片，,手機5v充電器升降壓芯片內(nèi)置650v高雪崩能力智能功率MOSFET，可以省略光耦合器和TL431，廣泛應用于高性能、周邊組件的緊湊型充電器，適配器和內(nèi)置電源。那么5V充電器MPS升降壓芯片的亮點有哪些呢？

1、外圍簡單(節(jié)省8個元件)：MPS升降壓芯片節(jié)省2個啟動電阻，采用獨特的控制技術以實現(xiàn)零外圍運行，節(jié)省傳統(tǒng)SR方案電源RC濾波器、SW檢測電阻、RT電阻、RC吸收等6個元件。

2、高可靠性：升降壓芯片配備三道防線，實現(xiàn)SR與PSR之間零直通風險，顯著提高系統(tǒng)安全容量，靜電接觸可達15kV，并且PSR與SR匹配工作，完全避免了小負荷采樣沖突，在異常條件下，SR起支撐作用，PSR能對異常進行保護。

3、低待機功耗：MPS升降壓芯片內(nèi)置高壓啟動，可輕松實現(xiàn)50mW待機功耗。

5V充電器MPS升降壓芯片的輸入電壓為90-264VAC，支持5V/2.0A、5V/ 24A、12V/1.0A輸出，擁有短路、過流、欠壓、過壓、過溫等保護功能，滿足6級節(jié)能效率。