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升降壓芯片是電子設(shè)備中極其重要的元器件，主要負(fù)責(zé)運(yùn)算和儲(chǔ)存的功能，那么升降壓芯片是怎么制造的呢？

升降壓芯片制造的主要步驟包含芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測(cè)試等，其中晶片制作是最為復(fù)雜的。

1、升降壓芯片的原料晶圓：硅晶圓主要由三個(gè)產(chǎn)業(yè)形成，即硅初步純化、制造多晶硅、制造硅晶圓。首先需要將純硅生產(chǎn)為硅晶棒，再將硅晶棒切片即可獲得芯片所需的晶圓。

2、升降壓芯片設(shè)計(jì)的步驟可分為規(guī)格確定、設(shè)計(jì)邏輯、布局電路、模擬、制造光罩。

3、芯片的制造步驟相對(duì)復(fù)雜，需要將光罩上的電路轉(zhuǎn)移到晶圓上，步驟為薄膜、光阻、顯影、蝕刻、去除光阻，在這步驟循環(huán)數(shù)次。

4、芯片封裝及測(cè)試：將芯片進(jìn)行封裝與測(cè)試，封裝步驟為切割、黏貼、焊接、模封。

升降壓芯片是將電路中的晶體管、電阻、電感、電容等元器件和布線相連接在一體，制作于介質(zhì)基片上，在將其封裝在管殼內(nèi)，具有體積小、低功耗、可靠性高、智能等特點(diǎn)。