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2014年的9月囯家推出”大基金”，可以比喻為是個導(dǎo)火索，它點燃中國半導(dǎo)體業(yè)前進的航船。此次大基金的推出不但是邦助企業(yè)解決融資難的困境，更為重要的是中國開始改變過去的陳舊思維，而采用市場經(jīng)濟的模式來運作。它的一個明顯的標(biāo)志是試圖用兼并的方法來迅速壯大自己，如紫光等頻頻出手，讓多個國家，包括臺灣地區(qū)開始引起警惕。充分反映此次中國半導(dǎo)體業(yè)不再是如過去那樣，閉門造車，走低效率的投資模式。

一、BZX84C18Q升降壓芯片的特性

? 350mW表面安裝齊納二極管

? VF 0.9V

? pd   300-350 Mw

? VZ@IZT 18

? Izt 5.0mA

? IR  0.1uA   @ VR  12.6V

二、MP2315GJ-Z升降壓芯片的特性

該 MP2315 是一種內(nèi)置在內(nèi)部功率 MOSFET 的高頻同步整流降壓開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。它提供了一個非常緊湊的解決方案，以實現(xiàn) 3A 連續(xù)輸出電流在一個寬的輸入電源范圍內(nèi)具有良好的負載和線路調(diào)節(jié)。