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由于光耦自身存在的分布電容，對(duì)傳輸速度造成影響，光敏三極管內(nèi)部存在著分布電容Cbe和Cce。由于光耦的電流傳輸比較低，其集電極負(fù)載電阻不能太小，否則輸出電壓的擺幅就受到了限制。但是負(fù)載電阻又不宜過大，負(fù)載電阻RL越大，由于分布電容的存在，光電耦合器的頻率特性就越差，傳輸延時(shí)也越長(zhǎng)。

用2只光電耦合器T1，T2接成互補(bǔ)推挽式電路，可以提高光耦的開關(guān)速度。當(dāng)脈沖上升為“1”電平時(shí)，T1截止，T2導(dǎo)通。相反，當(dāng)脈沖為“0”電平時(shí)，T1導(dǎo)通，T2截止。這種互補(bǔ)推挽式電路的頻率特性大大優(yōu)于單個(gè)光電耦合器的頻率特性。

一、MP2672GD-000D-Z升降壓芯片的特性

MP2672 是一款靈活的高度集成開關(guān)電池充電器 IC，適用于 2 節(jié)電池串聯(lián)的鋰離子電池，用于各種便攜式應(yīng)用。

二、MPQ8636升降壓芯片的特性

? 10A、4.5-18V、采用恒定導(dǎo)通工作模式（CCM）的COT 同步降壓變換器，具有鎖定過壓保護(hù)（OVP）

? 4.5V 至 18V 寬輸入工作電壓范圍

? 10A 輸出電流

? 低導(dǎo)通阻抗內(nèi)部功率 MOSFET

? 專有開關(guān)損耗降低技術(shù)

? 用于超快瞬態(tài)響應(yīng)的自適應(yīng)恒定導(dǎo)通時(shí)間（COT）控制

? 0°C 至 70°C 結(jié)溫范圍內(nèi)的參考電壓精確度為 0.5%

? 200kHz 至 1MHz 可調(diào)開關(guān)頻率

? 非鎖定過流保護(hù)（OCP）、過壓保護(hù)（OVP）和過溫關(guān)斷保護(hù)

? 可選的過壓保護(hù)（OVP）模式：鎖定模式（MPQ8636-10）和非鎖定模式（MPQ8636H-10）

? 輸出電壓可調(diào)范圍：0.611V 至 13V