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FZT651TA與MP1612升降壓芯片的特性

時(shí)間:2022-07-19 預(yù)覽:664

FZT651TA與MP1612升降壓芯片的特性

一、FZT651TA升降壓芯片的特性

特征

* BVCEO>60V

* IC=3A高持續(xù)電流

* ICM=6A峰值脈沖電流

* 低飽和電壓VCE(sat)<300mV@1A

* 補(bǔ)充PNP類型:FZT751

* 無鉛飾面;符合RoHS(注1和2)

* 無鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)

* 符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

機(jī)械數(shù)據(jù)

* 案例:SOT223

* 外殼材料:模壓塑料?!熬G色”模壓化合物;UL易燃性等級(jí)94V-0

* 濕度敏感度:根據(jù)J-STD-020,為1級(jí)

* 端子:表面處理-啞光鍍錫引線;可根據(jù)MIL-STD-202,方法208

* 重量:0.112克(近似值)

二、MP1612升降壓芯片的特性

? 2A 同步降壓變換器

? 低靜態(tài)電流:21μA

? 開關(guān)頻率為 1.2MHz

? 80mΩ 和 40mΩ 內(nèi)部功率 MOSFET 開關(guān)管

? FB 精度為 1%

? 寬工作輸入電壓范圍:2.5V 至 5.5V

? 輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V

? SOT583 封裝