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所謂電磁干擾是指任何能使設(shè)備或系統(tǒng)性能降級(jí)的電磁現(xiàn)象。而所謂電磁干擾是指因電磁干擾而引起的設(shè)備或系統(tǒng)的性能下降。習(xí)慣上說(shuō)，EMC包含EMI（電磁干擾）和EMS（電磁敏感性）兩個(gè)方面。

現(xiàn)如今家用電器正向著智能化發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)也隨之蓬勃壯大。多個(gè)智能設(shè)備在同一環(huán)境中運(yùn)行的情況越來(lái)越多，電磁環(huán)境也開(kāi)始日益復(fù)雜化。因此作為生產(chǎn)廠家和開(kāi)發(fā)者，應(yīng)該隨時(shí)關(guān)注電磁監(jiān)測(cè)市場(chǎng)的動(dòng)向，隨時(shí)緊跟時(shí)代潮流，才能在市場(chǎng)上利于不敗地位。

一、MP2315GJ-Z升降壓芯片功能說(shuō)明

項(xiàng)目詳情

該 MP2315 是一種內(nèi)置在內(nèi)部功率 MOSFET 的高頻同步整流降壓開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。它提供了一個(gè)非常緊湊的解決方案，以實(shí)現(xiàn) 3A 連續(xù)輸出電流在一個(gè)寬的輸入電源范圍內(nèi)具有良好的負(fù)載和線路調(diào)節(jié)。

二、MP1484升降壓芯片功能說(shuō)明

? 輸出電流：3A

? 4.75V 至 18V 寬輸入工作電壓范圍

? 集成85m?功率 MOSFET開(kāi)關(guān)管

? 可調(diào)輸出電壓：0.925V 至 20V

? 效率高達(dá)95%

? SOIC8

? 340kHz 固定頻率