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DMN6040SK3與BSS123升降壓芯片性能介紹

時間:2022-07-05 預覽:863

DMN6040SK3與BSS123升降壓芯片性能介紹

當行業(yè)達到一定成熟度的時候,半導體公司很少會通過擴大經濟規(guī)模來實現(xiàn)高利潤率。以無線行業(yè)為例,最近10年,多數(shù)手機基帶芯片市場領導者關閉了他們的業(yè)務,而不是以并購的方式將它們推向市場。TI、Broadcom、ST和Marvell等公司,都曾經是基帶芯片市場的領導者,無一例外地沒有找到接盤它們基帶芯片業(yè)務的下家。即使是那些能夠為其每況愈下的無線芯片業(yè)務找到接盤下家的公司,也沒有通過并購成為行業(yè)領導者。另一方面,雖然基帶芯片的利潤下降明顯,但高通、海思這幾家公司還未表現(xiàn)出裁撤該業(yè)務的意愿,這些公司還需要進一步觀察。

一、DMN6040SK3升降壓芯片性能介紹

? 60V N溝道增強型MOSFET

? V(BR)DSS 60v

? RDS(on) max 40mΩ @ VGS = 10V ID 20A 50mΩ @ VGS = 4.5V ID 16A

二、BSS123升降壓芯片性能介紹

? N溝道增強型MOSFET

? BVDSS 100V

? RDS(ON)6.0? @ VGS = 10V 

? ID TA = +25°C  0.17A