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SOI 材料具有以下突出優(yōu)點(diǎn)：1、低功耗;2、低開(kāi)啟電壓;3、高速;4、提高集成度;5、與現(xiàn)有集成電路完全兼容且減少工藝程序;6、耐高溫;7、抗輻照等。 基于SOI 結(jié)構(gòu)上的器件在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開(kāi)關(guān)速度，降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI 廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS 等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。

一、MP3301升降壓芯片性能介紹

? 2.5V-6Vin，36Vout, 700mA升壓WLED驅(qū)動(dòng)器

? 集成內(nèi)部功率 MOSFET

? 可驅(qū)動(dòng)最多10個(gè)串聯(lián)的白光LED

? 效率高達(dá)89%

? PWM 調(diào)光和模擬調(diào)光功能

? 1.3MHz 固定開(kāi)關(guān)頻率

? 200mV 低反饋電壓

? 內(nèi)部700mA限流保護(hù)

? 負(fù)載開(kāi)路關(guān)斷

? 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)、過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)

? 采用 TSOT23-5 封裝

二、MBR5200VPTR升降壓芯片性能介紹

? 高壓功率肖特基整流器

? 低正向電壓：0。95V@+25C  

? 高浪涌電流容量

? +150℃工作結(jié)溫

? 5A總計(jì)

? 壓力保護(hù)用護(hù)環(huán)