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在現(xiàn)階段，至多說定律的三個分支中，”延續(xù)摩爾”的部分，即走尺寸縮小的部分遇到了困難。目前邏輯制程剛進入10納米，預(yù)期明年可實現(xiàn)量產(chǎn)。而下一代節(jié)點的7納米制程，要到2018年，其中很大的一個變數(shù)，可能采用EUV光刻。業(yè)界尚在探索的是5納米制程，估計要采用新的溝道材料，包括III-V族，或者納米線，或者環(huán)柵結(jié)構(gòu)。但是尺寸繼續(xù)縮小下去的另一問題，財務(wù)平衡矛盾會顯現(xiàn)。因為業(yè)界預(yù)測一個7納米制程的SoC產(chǎn)品設(shè)計，費用可高達500M美元以上，相比28納米的設(shè)計費用要高出9倍。如此高的設(shè)計費用，能有什么產(chǎn)品，有幾千萬塊以上數(shù)量的市場需求支持它，仍是個未知數(shù)。表明定律從技術(shù)上可行，而從財務(wù)平衡的角度，大部分fabless可能已失去對于7納米產(chǎn)品的吸引力。由此表明定律的尺寸縮小部分可能已成擺設(shè)，缺乏實際的使用價值。

一、BS3406升降壓芯片的介紹

? 1MHZ，1A同步降壓轉(zhuǎn)換器

? 2.5V至6V輸入電壓范圍

? 1A負(fù)載電流

? 1MHz恒定開關(guān)頻率

? TSOT-5封裝

二、MP6531升降壓芯片的介紹

? 具有單獨上管/下管控制功能的 5V 至 60V、三相直流無刷電機前置驅(qū)動器

? 5V 至 60V 寬輸入電壓范圍

? 由涓流電流充電電路維持自舉柵極驅(qū)動，支持 100% 占空比工作

? 用于電池供電應(yīng)用的低功率休眠模式

? 外部 MOSFET 可編程過流保護

? 可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間控制能防止上下管直通

? 過溫關(guān)斷保護和欠壓鎖定（UVLO）保護

? 故障指示輸出

? 散熱性能更強的表面貼裝封裝