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2012年,三星與英特爾的差距約為5.3個百分點,2013年縮小到4.2個百分點,2015年進一步縮小到3.2個百分點。雖然,今年第一季度差距拉大到4個百分點以上,但第二季度再次縮小差距,恢復(fù)強勁追趕勢頭。
IHS在報告中強調(diào),二季度之所以差距縮小,主要是因為三星NAND閃存產(chǎn)品銷售猛增,這些閃存被智能手機和筆記本廣泛采用。第二季度,三星NAND閃存銷售環(huán)比增加5.4%,而英特爾卻下降1.2%。
另外,美國高通占據(jù)全球市場的4.6%,博通(Broadcom)份額為4.3%,SK海力士排名第五位份額為4%。
一、BAW101Q-7電源管理芯片基本應(yīng)用及特點介紹
特征:
* 快速開關(guān)速度
* 高反向擊穿電壓
* 單個緊湊封裝中的兩個電氣隔離元件
* 低泄漏電流
* 完全無鉛且完全符合RoHS(注1和2)
* 無鹵素和銻。“綠色”裝置(注3)
* 符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)
* PPAP能力(注4)
機械數(shù)據(jù):
* 案例:143
* 外殼材料:模壓塑料,“綠色”模壓化合物。
* UL易燃性分類額定值94V-0
* 濕度敏感度:根據(jù)J-STD-020,為1級
* 端子:在合金42引線框架上退火的亞光錫表面(無鉛電鍍),可根據(jù)MIL-STD-202方法208焊接
* 重量:0.008克(近似值)
二、BZT52C3V9LP電源管理芯片基本應(yīng)用及特點介紹
? 貼片齊納二極管
? VF 0.9V
? VZ@IZT 39
? ZZT@IZT 130? -ZZK@IZK 350?
? IR 0.1 @ VR 27.3