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市調(diào)機構(gòu)IC Insight指出，隨著英特爾等多家廠商紛紛擴張到中國的工廠輸出，大陸正迅速成為3D NAND的全球制造中心。另一方面，即使在國家安全的考慮下，限制了尖端技術(shù)的出口，但依靠40 nm光刻疊加 (overlay) 和蝕刻技術(shù)的3D NAND并不構(gòu)成太大的影響。

一、SBRT3U40P1-7電源管理芯片基本應用及特點介紹

產(chǎn)品詳情：

* 封裝在緊湊的熱效率PowerDI?123中

* SBRT3U40P1提供極低的VF和極好的反向泄漏

* 高溫穩(wěn)定性。非常適合用作整流器MR16橋式整流器應用中的二極管。

應用：

* 橋式二極管

* 阻塞二極管

* 反向保護二極管

特點和好處：

* 降低超低正向壓降（VF）；提高效率和冷卻器操作。

* 減少高溫反向泄漏；提高可靠性，防止高溫運行中的熱失控故障。

* <1.1mm封裝外形–非常適合薄型應用。

* 專利超級屏障整流器SBR?技術(shù)

* 無鉛飾面；符合RoHS（注1和2）

* 無鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）

* SBRT3U40P1Q適用于汽車應用，需要特定的變更控制；本部分為AEC-Q101合格，具有PPAP能力，并按照IATF 16949制造認證設(shè)施。

機械數(shù)據(jù)：

* 案例：PowerDI123

* 外殼材料：模壓塑料“綠色”模壓化合物；UL易燃性分類額定值94V-0

* 濕度敏感度：根據(jù)J-STD-020，為1級

* 端子：銅引線框架上退火的拋光亞光錫；根據(jù)MIL-STD-202，方法208可焊接

* 極性：陰極帶

* 重量：0.01克（近似值）

二、BZX84C18Q電源管理芯片基本應用及特點介紹

? 350mW表面安裝齊納二極管

? VF 0.9V

? pd   300-350 Mw

? VZ@IZT 18

? Izt 5.0mA

? IR  0.1uA   @ VR  12.6V