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2012年，三星與英特爾的差距約為5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年縮小到4.2個(gè)百分點(diǎn)，2015年進(jìn)一步縮小到3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但第二季度再次縮小差距，恢復(fù)強(qiáng)勁追趕勢(shì)頭。

IHS在報(bào)告中強(qiáng)調(diào)，二季度之所以差距縮小，主要是因?yàn)槿荖AND閃存產(chǎn)品銷售猛增，這些閃存被智能手機(jī)和筆記本廣泛采用。第二季度，三星NAND閃存銷售環(huán)比增加5.4%，而英特爾卻下降1.2%。

另外，美國(guó)高通占據(jù)全球市場(chǎng)的4.6%，博通(Broadcom)份額為4.3%，SK海力士排名第五位份額為4%。

一、BC847AT-7-F電源管理芯片基本應(yīng)用及特點(diǎn)介紹

機(jī)械數(shù)據(jù)：

* 表面貼裝封裝

* 重量：0.002克（近似值）

* 根據(jù)JEDEC，最高焊接溫度+260°C持續(xù)30秒J-STD-020

* 外殼材料-模制塑料，UL易燃性等級(jí)94V-0

* 端子：表面處理-啞光鍍錫引線，可焊接

二、MP2000電源管理芯片基本應(yīng)用及特點(diǎn)介紹

? 150mA 低輸入電壓線性穩(wěn)壓器

? 可工作于VIN = 1.35V

? 采用低ESR 輸出電容可穩(wěn)定工作

? 150mA 輸出電流時(shí)提供300mV 低壓差

? 低至 65μA 接地電流

? 輸出電壓精度：±3%

? 內(nèi)部過(guò)溫保護(hù)

? 固定或可調(diào)輸出電壓選項(xiàng)

? 限流保護(hù)

? 優(yōu)于 0.001%/mA的負(fù)載調(diào)整率

? 關(guān)斷模式下的典型靜態(tài)電流為7μA