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在前沿領域,我們正迎來電路線寬從10多納米到7~10納米的過渡期。 EUV光刻(極紫外光刻)技術,可以一次將微小的電路寫入鬼芯片,尚未開發(fā)。目前,微型電路是通過重復操作制成的,成膜設備和刻蝕設備也在不斷增加。
在服務器等使用的存儲設備方面,現(xiàn)在已經采用了3D垂直堆疊的NAND存儲設備。與傳統(tǒng)的平面存儲設備相比,這種立體設備可以增加單位尺寸芯片的存儲容量。韓國三星電子、美國微軟、日本東芝都在增加生產設備。
預計從現(xiàn)在到2020年的五年期間,總投資將達到5萬億日元(約合人民幣3320億元),是過去五年的兩倍多。中國政府已將半導體產業(yè)定位為支柱產業(yè),同時也在積極推動外商投資。
這三大變化可能會拉大設備制造商之間的差距。半導體的小型化、三維化,對設備的技術要求提高了。有分析認為,技術將成為半導體設備制造商的決定性因素。
一、ZXTN25012EFHTA電源管理芯片基本應用及特點介紹
概括:
* BVCEO > 12V
* BVECX > 6V
* hFE > 500
* IC(續(xù))= 6A
* VCE(sat) < 32mV @ 1A
* RCE(sat) = 23m
* PD = 1.25W
描述:
先進的工藝能力和包裝設計已被用于最大限度地提高這個小外形的功率處理和性能晶體管。 該設備的緊湊尺寸和額定值使其成為理想的適用于空間非常寶貴的應用。
特征:
? 高功耗 SOT23 封裝
? 高峰值電流
? 非常高的增益
? 低飽和電壓
? 6V 反向阻斷電壓
應用:
? MOSFET 柵極驅動器
? 電源開關
? 電機控制
? 直流風扇
? DC-DC 轉換器
二、DUP2105SOQ電源管理芯片基本應用及特點介紹
? 雙線CAN總線保護器
? VBR (Min) 26.2V IPP (Max) 8A IR (Max) 100nA