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常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵(gaas)等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼(b)、磷(p)、錮(in)和銻(sb)等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
有以下共同特點(diǎn):
1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間
2.半導(dǎo)體受外界光和熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將會(huì)有顯著變化。
3.在純凈半導(dǎo)體中，加入微量的雜質(zhì)，其導(dǎo)電能力會(huì)急劇增強(qiáng)。

半導(dǎo)體指的是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，常見(jiàn)的有硅、鍺、碳化硅、氮化鎵等，一般說(shuō)半導(dǎo)體都是說(shuō)半導(dǎo)體材料，三極管、二極管是半導(dǎo)體器件。

不管哪個(gè)，種類(lèi)都挺多的，抽常見(jiàn)的說(shuō)一下。

半導(dǎo)體材料，最基本的有三種類(lèi)型：本征半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體。

根據(jù)《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50054-2011第3.1.7規(guī)定，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電器嚴(yán)禁作為隔離電器。該條為強(qiáng)制性條文，需要嚴(yán)格執(zhí)行。制訂該條的出發(fā)點(diǎn)是為了保證人身安全。顧名思義，隔離電器應(yīng)可靠地將回路與電源隔離，以保障檢修、維護(hù)人員的安全。

根據(jù)IEC 60947-1（GB 14048.1）的規(guī)定，隔離電器必需具有一定的間距，并且其動(dòng)觸頭有可靠的位置指示。從隔離電器的要求可以看出，隔離電器需具有明顯的符合標(biāo)準(zhǔn)要求的斷點(diǎn)，有了此明顯斷點(diǎn)，維護(hù)人員才有安全保證。傳統(tǒng)的機(jī)械式隔離電器滿足標(biāo)準(zhǔn)的要求，具有較高的可靠性，能勝任此重任。

而半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電器則是利用半導(dǎo)體導(dǎo)通或阻斷電流而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能！常用可控性制作成半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電器，其不能滿足上述標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于隔離電器的附加要求，既沒(méi)有明顯的斷點(diǎn)，也不能可靠指示動(dòng)觸頭的位置。并且半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電器較機(jī)械式的更容易被擊穿。

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體跟絕掩體之間的物質(zhì)叫做半導(dǎo)體材料。常見(jiàn)半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)對(duì)于材料應(yīng)用甚為重要，所以有著不同的特性。下面小編簡(jiǎn)單介紹下常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有什么特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)吧。

常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料特點(diǎn)

常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge）,化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。

有以下共同特點(diǎn)：

1．半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間

2．半導(dǎo)體受外界光和熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將會(huì)有顯著變化。

3．在純凈半導(dǎo)體中，加入微量的雜質(zhì)，其導(dǎo)電能力會(huì)急劇增強(qiáng)。

常見(jiàn)半導(dǎo)體材料有什么優(yōu)勢(shì)

半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類(lèi)功能材料?？侩娮雍涂昭▋煞N載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質(zhì)或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的變化。1906年制成了碳化硅檢波器。

1947年發(fā)明晶體管以后，半導(dǎo)體材料作為一個(gè)獨(dú)立的材料領(lǐng)域得到了很大的發(fā)展，并成為電子工業(yè)和高技術(shù)領(lǐng)域中不可缺少的材料。特性和參數(shù)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，由于雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱(chēng)N型半導(dǎo)體，靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱(chēng)P型半導(dǎo)體。

不同類(lèi)型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在接觸處形成位壘，因而這類(lèi)接觸具有單向?qū)щ娦?。利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以制成具有不同功能的半?dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。

此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)外界條件的變化非常敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場(chǎng)）下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最常見(jiàn)的一類(lèi)缺陷。位錯(cuò)密度用來(lái)衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對(duì)于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒(méi)有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

什么是“邊緣計(jì)算”？想要弄清楚這一概念的含義，我們還得從“云計(jì)算”談起。

云計(jì)算（cloud computing）指的是通過(guò)網(wǎng)絡(luò)“云”將巨大的數(shù)據(jù)計(jì)算處理程序分解成無(wú)數(shù)個(gè)小程序，然后，通過(guò)多部服務(wù)器組成的系統(tǒng)進(jìn)行處理和分析這些小程序得到結(jié)果并返回給用戶。用戶通過(guò)網(wǎng)絡(luò)獲得應(yīng)用所需的資源（硬件、平臺(tái)、軟件）。而提供資源的網(wǎng)絡(luò)被稱(chēng)為“云”。

舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子，這就好似我們現(xiàn)在的用電方式一樣。每個(gè)家庭或企業(yè)一般情況下并不自己生產(chǎn)“電”，而是大型發(fā)電站進(jìn)行集中發(fā)電，然后通過(guò)星羅棋布的電網(wǎng)，將“電”輸送到每家每戶。人們只需插上插座，按時(shí)交納電費(fèi)，便可以用上電?！霸朴?jì)算”就類(lèi)似于這樣一種存在。那些提供云計(jì)算服務(wù)的公司，就好比“大型發(fā)電站”。1961 年，網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)領(lǐng)域?qū)＜壹s翰·麥卡錫就曾預(yù)言：“未來(lái)電腦運(yùn)算有可能成為一項(xiàng)公共事業(yè)，就像電話系統(tǒng)已成為一項(xiàng)公共事業(yè)一樣。”然而，正如文章開(kāi)頭所說(shuō)，龐大的數(shù)據(jù)量將極易造成網(wǎng)絡(luò)擁堵，并且隨著 5G 時(shí)代的到來(lái)，我們對(duì)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)性提出了更高的要求。因此我們需要將部分?jǐn)?shù)據(jù)在本地進(jìn)行處理。“邊緣計(jì)算”便是這樣一種模式。

所謂邊緣計(jì)算就是在網(wǎng)絡(luò)邊緣結(jié)點(diǎn)來(lái)處理、分析數(shù)據(jù)，而不是在中央服務(wù)器里整理后實(shí)施處理。在這里“邊緣節(jié)點(diǎn)”目前主要包括，通信基站、服務(wù)器、網(wǎng)關(guān)設(shè)備以及終端設(shè)備。與云計(jì)算相比邊緣計(jì)算在網(wǎng)絡(luò)拓?fù)渲械奈恢酶停锤涌拷坝脩簟薄獢?shù)據(jù)產(chǎn)生的地方。作為對(duì)云計(jì)算方式的補(bǔ)充，邊緣計(jì)算彌補(bǔ)了云計(jì)算的諸多缺陷。

半導(dǎo)體一般指硅晶體,它的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間.
半導(dǎo)體是指導(dǎo)電能力介于金屬和絕緣體之間的固體材料.按內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)區(qū)分,半導(dǎo)體與絕緣體相似,它們所含的價(jià)電子數(shù)恰好能填滿價(jià)帶,并由禁帶和上面的導(dǎo)帶隔開(kāi).半導(dǎo)體與絕緣體的區(qū)別是禁帶較窄,在2～3電子伏以下.
典型的半導(dǎo)體是以共價(jià)鍵結(jié)合為主的,比如晶體硅和鍺.半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶中的電子或價(jià)帶中的空穴導(dǎo)電.它的導(dǎo)電性一般通過(guò)摻入雜質(zhì)原子取代原來(lái)的原子來(lái)控制.摻入的原子如果比原來(lái)的原子多一個(gè)價(jià)電子,則產(chǎn)生電子導(dǎo)電；如果摻入的雜質(zhì)原子比原來(lái)的原子少一個(gè)價(jià)電子,則產(chǎn)生空穴導(dǎo)電.
半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣泛,主要是制成有特殊功能的元器件,如晶體管、集成電路、整流器、激光器以及各種光電探測(cè)器件、微波器件等.

用溫度探頭來(lái)控制溫度，比如說(shuō)低于10度關(guān)閉半導(dǎo)體制冷片，高于20度開(kāi)啟半導(dǎo)體制冷片。這要另外加裝電源。

首先你要知道三極管是一種什么性質(zhì)的元件，電流控制電流型的器件，三種工作狀態(tài)，放大，飽和和截止，以放大和截止為例，放大狀態(tài)下可以實(shí)現(xiàn)小電流控制大電流，在通俗講即弱電控強(qiáng)電，飽和狀態(tài)則可以組成三極管開(kāi)關(guān)電路

除了有 可歸納為三種 : 共發(fā)射極電路、共基極 電路以及共集電極電路。 可歸納為三種 : 共發(fā)射極電路、共基極 電路以及共集電極電路。 可歸納為三種 : 共發(fā)射極電路、共基極 電路以及共集電極電路。 共發(fā)射極電路、共基極電路以及共集電極電路三種放大電路形式外，還可用于振蕩電路和開(kāi)關(guān)電路。有關(guān)振蕩電路可參看圖，開(kāi)關(guān)電路的典型應(yīng)用是開(kāi)關(guān)電源，開(kāi)關(guān)電源型手機(jī)充電器電路圖，圖中三極管VT就是開(kāi)關(guān)管。

220v交流電由插頭XP引入，經(jīng)二極管VD1`VD4全波整流和電容C1濾波后，得到約300V直流電壓，分兩路供電。一路經(jīng)變壓器T的一次側(cè)繞組加到開(kāi)關(guān)管VT集電極，另一路經(jīng)啟動(dòng)電阻R3給VT基極提供正偏置，觸發(fā)VT迅速導(dǎo)通，于是使T一次側(cè)繞組產(chǎn)生1端正、2端負(fù)的感應(yīng)電壓，經(jīng)變壓器T耦合又使正反饋繞組產(chǎn)生4端正、3端負(fù)的感應(yīng)電壓，并疊加到VT基極，促使VT進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。

三極管VT飽和導(dǎo)通時(shí)，集電極電流不再變化，一次側(cè)繞組感應(yīng)電壓消失，VT便退出飽和狀態(tài)，使集電極電流減小，此時(shí)一次側(cè)繞組則產(chǎn)生2端正、1端負(fù)的反向感應(yīng)電壓，經(jīng)變壓器T耦合至反饋繞組形成3端正、4端負(fù)的感應(yīng)電壓，迫使三極管VT在反向偏置下迅速截止。之后，電流重復(fù)上述過(guò)程，形成自激振蕩，使三極管VT工作于飽和與截止的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

半導(dǎo)體三極管常見(jiàn)故障

半導(dǎo)體三極管是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，它的常見(jiàn)故障與二極管一樣，有短路故障、開(kāi)路故障和性能不良。

將「質(zhì)量」定義為符合要求，我們?yōu)槲覀兊漠a(chǎn)品符合或超過(guò)客戶要求而感到自豪。我們的產(chǎn)品設(shè)計(jì)皆具有可靠性，
其質(zhì)量可維持超過(guò)所使用之應(yīng)用的可用壽命。